Name: โมดูลไฟแบบ Infineon IGBT FF50R12RT4 34 มม. IGBT 1200V คู่พร้อมด้วยช่องเสียบ / ช่องเสียบแบบเร็ว
Brand: Infineon
SKU: FF50R12RT4
Price: 1 USD
Availability: InStock
Rating: 4.8 (114 reviews)

บ้าน ผลิตภัณฑ์โมดูลไฟ IGBT

โมดูลไฟแบบ Infineon IGBT FF50R12RT4 34 มม. IGBT 1200V คู่พร้อมด้วยช่องเสียบ / ช่องเสียบแบบเร็ว

รายละเอียดสินค้า:

สถานที่กำเนิด:	จีน
ชื่อแบรนด์:	Infineon
หมายเลขรุ่น:	FF50R12RT4

การชำระเงิน:

จำนวนสั่งซื้อขั้นต่ำ:	1 ชุด
รายละเอียดการบรรจุ:	บรรจุกล่องไม้
เวลาการส่งมอบ:	25 วันหลังจากลงนามในสัญญา
เงื่อนไขการชำระเงิน:	T/T
สามารถในการผลิต:	1000sets

ติดต่อ

รายละเอียดสินค้า

VCES:	1200V	IC nom:	50A
ICRM:	100A	แอพพลิเคชัน:	ไดรฟ์มอเตอร์
คุณสมบัติทางไฟฟ้า:	การสูญเสียการสลับต่ำ
แสงสูง:	โมดูล igbt พลังงานสูง igbt ยานยนต์ , automotive igbt

Infineon FF50R12RT4 ที่รู้จักกันดีโมดูล IGBT ขนาด 34 มม. 1200 โวลต์พร้อมช่อง IGBT4 และ Emitter Controlled ได้อย่างรวดเร็ว

การ ใช้งาน ทั่วไป

•ตัวแปลงพลังงานสูง

•ไดรฟ์มอเตอร์

•ระบบ UPS

คุณสมบัติทาง ไฟฟ้า

•อุณหภูมิการทำงานที่เพิ่มขึ้น Tvj op

•การสูญเสียการสลับต่ำ

VCEsat ต่ำ

• Tvj op = 150 ° C

• VCEsat มีค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิบวก

คุณสมบัติทาง เครื่องกล

แผ่นฐานที่แยกได้

•ที่อยู่อาศัยมาตรฐาน

IGBT, อินเวอร์เตอร์

ค่า นิยมสูงสุด

แรงดัน Collector-emitter	Tvj = 25 ° C	VCES	1200	V
กระแสเก็บ DC แบบต่อเนื่อง	TC = 100 ° C, Tvj max = 175 ° C	IC nom	50
กระแสสะสมสูงสุดซ้ำ	tP = 1 ms	ICRM	100
การกระจายพลังงานทั้งหมด	TC = 25 ° C, Tvj max = 175 ° C	Ptot	285	W
แรงดันไฟฟ้าสูงสุดของ Gate-emitter		VGES	+/- 20	V

ค่า ลักษณะ

แรงดันอิ่มตัวของ Collector-emitter	IC = 50 A, VGE = 15 V Tvj = 25 ° C IC = 50 A, VGE = 15 V Tvj = 125 ° C IC = 50 A, VGE = 15 V Tvj = 150 ° C	VCE นั่ง		1,85 2,15 2,25	2,15	V VV
แรงดันไฟฟ้าประตู	IC = 1,60 mA, VCE = VGE, Tvj = 25 ° C	VGEth	5,2	5,8	6,4	V
Gate charge	VGE = -15 V ... +15 V	QG		0,38		μC
ตัวต้านทานประตูภายใน	Tvj = 25 ° C	RGint		4,0		Ω
Input capacitance	f = 1 MHz, Tvj = 25 ° C, VCE = 25 V, VGE = 0 V	Cies		2,80		nF
ความจุในการถ่ายโอนข้อมูลย้อนกลับ	f = 1 MHz, Tvj = 25 ° C, VCE = 25 V, VGE = 0 V	Cres		0,10		nF
กระแสตัดกระแส Collector-emitter	VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25 ° C	ไอศครีม			1.0	mA
กระแสไฟรั่วของ Gate-emitter	VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25 ° C	IGES			100	nA
เวลาการหน่วงเวลาในการเปิดเครื่อง, ภาระอุปนัย	IC = 50 A, VCE = 600 V Tvj = 25 ° C VGE = ± 15 V Tvj = 125 ° C RGon = 15 Ω Tvj = 150 ° C	td on		0,13 0,15 0,15		ไมโครวินาที ไมโครวินาที ไมโครวินาที
เวลาที่เพิ่มขึ้นโหลดอุปนัย	IC = 50 A, VCE = 600 V Tvj = 25 ° C VGE = ± 15 V Tvj = 125 ° C RGon = 15 Ω Tvj = 150 ° C	TR		0,02 0,03 0035		ไมโครวินาที ไมโครวินาที ไมโครวินาที
เวลาหน่วงการเปิด - ปิด, ภาระอุปนัย	IC = 50 A, VCE = 600 V Tvj = 25 ° C VGE = ± 15 V Tvj = 125 ° C RGoff = 15 Ω Tvj = 150 ° C	td off		0,30 0,38 0,40		ไมโครวินาที ไมโครวินาที ไมโครวินาที
เวลาตก, ภาระอุปนัย	IC = 50 A, VCE = 600 V Tvj = 25 ° C VGE = ± 15 V Tvj = 125 ° C RGoff = 15 Ω Tvj = 150 ° C	TF		0,045 0,08 0,09		ไมโครวินาที ไมโครวินาที ไมโครวินาที
การเปิดเครื่องสูญเสียพลังงานต่อชีพจร	IC = 50 A, VCE = 600 V, LS = 30 nH Tvj = 25 ° C VGE = ± 15 V, di / dt = 1300 A / μs (Tvj = 150 ° C) Tvj = 125 ° C RGon = 15 Ω Tvj = 150 ° C	กัป		4,50 6,50 7,50		19,0 30,0 36,0
ลดการสูญเสียพลังงานต่อชีพจร	IC = 50 A, VCE = 600 V, LS = 30 nH Tvj = 25 ° C VGE = ± 15 V, du / dt = 3800 V / μs (Tvj = 150 ° C) Tvj = 125 ° C RGoff = 15 Ω Tvj = 150 ° C	Eoff		2,50 4,00 4,50		mJ mJ mJ
ข้อมูล SC	VGE ≤ 15 V, VCC = 800 V VCEmax = VCES -LsCE · di / dt tP ≤ 10 μs, Tvj = 150 ° C	ISC		180		mJ mJ mJ
ความต้านทานความร้อนการเชื่อมต่อกับกรณี	IGBT / per IGBT	RthJC			0,53	K / W
ความต้านทานความร้อน, caseto ฮีทซิงค์	แต่ละ IGBT / ต่อ IGBT λPaste = 1 W / (m · K) / λgrease = 1 W / (m · K)	RthCH		0082		K / W
อุณหภูมิภายใต้เงื่อนไขการเปลี่ยน		Tvj op	-40		150	° C