สถานที่กำเนิด: | จีน |
ชื่อแบรนด์: | Infineon |
หมายเลขรุ่น: | FF200R12KT4 |
จำนวนสั่งซื้อขั้นต่ำ: | 1 ชุด |
---|---|
รายละเอียดการบรรจุ: | บรรจุกล่องไม้ |
เวลาการส่งมอบ: | 25 วันหลังจากลงนามในสัญญา |
เงื่อนไขการชำระเงิน: | T/T |
สามารถในการผลิต: | 1000sets |
VCES: | 1200V | IC Nom IC: | 200A |
---|---|---|---|
เข้าใจแล้ว: | 320A | ICRM: | 400A |
แสงสูง: | โมดูล igbt พลังงานสูง igbt ยานยนต์,automotive igbt |
สะพานครึ่งซีรีย์ 62 มม. ซีรีส์ 1200 โวลต์อินเวอร์เตอร์โมดูล IGBT คู่โมดูลพลังงาน FF200R12KT4
ค่า นิยมสูงสุด
แรงดัน Collector-emitter | Tvj = 25 ° C | VCES | 1200 | V |
กระแสเก็บ DC แบบต่อเนื่อง | TC = 100 ° C, Tvj max = 175 ° C TC = 25 ° C, Tvj max = 175 ° C | IC nom เข้าใจแล้ว | 200 320 |
|
กระแสสะสมสูงสุดซ้ำ | tP = 1 ms | ICRM | 400 | |
การกระจายพลังงานทั้งหมด | TC = 25 ° C, Tvj max = 175 ° C | Ptot | 1100 | W |
แรงดันไฟฟ้าสูงสุดของ Gate-emitter | VGES | +/- 20 | V |
ค่า ลักษณะ
แรงดันอิ่มตัวของ Collector-emitter | IC = 200 A, VGE = 15 V Tvj = 25 ° C IC = 200 A, VGE = 15 V Tvj = 125 ° C | VCE นั่ง | 1,75 2,05 2,10 | 2,15 | V VV | |
แรงดันไฟฟ้าประตู | IC = 7,60 mA, VCE = VGE, Tvj = 25 ° C | VGEth | 5,2 | 5,8 | 6,4 | V |
Gate charge | VGE = -15 V ... +15 V | QG | 1,80 | μC | ||
ตัวต้านทานประตูภายใน | Tvj = 25 ° C | RGint | 3,8 | Ω | ||
Input capacitance | f = 1 MHz, Tvj = 25 ° C, VCE = 25 V, VGE = 0 V | Cies | 14,0 | nF | ||
ความจุในการถ่ายโอนข้อมูลย้อนกลับ | f = 1 MHz, Tvj = 25 ° C, VCE = 25 V, VGE = 0 V | Cres | 0,50 | nF | ||
กระแสตัดกระแส Collector-emitter | VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25 ° C | ไอศครีม | 5,0 | mA | ||
กระแสไฟรั่วของ Gate-emitter | VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25 ° C | IGES | 400 | nA | ||
เวลาการหน่วงเวลาในการเปิดเครื่อง, ภาระอุปนัย | IC = 200 A, VCE = 600 V Tvj = 25 ° C VGE = ± 15 V Tvj = 125 ° C RGon = 2,4 Ω Tvj = 150 ° C | td on | 0,16 0,17 0,18 | ไมโครวินาที ไมโครวินาที ไมโครวินาที | ||
เวลาที่เพิ่มขึ้นโหลดอุปนัย | IC = 200 A, VCE = 600 V Tvj = 25 ° C VGE = ± 15 V Tvj = 125 ° C RGon = 2,4 Ω Tvj = 150 ° C | TR | 0,045 0,04 0,50 | ไมโครวินาที ไมโครวินาที ไมโครวินาที | ||
เวลาหน่วงการเปิด - ปิด, ภาระอุปนัย | IC = 200 A, VCE = 600 V Tvj = 25 ° C VGE = ± 15 V Tvj = 125 ° C RGon = 2,4 Ω Tvj = 150 ° C | td off | 0,45 0.52 0.54 | ไมโครวินาที ไมโครวินาที ไมโครวินาที | ||
เวลาตก, ภาระอุปนัย | IC = 200 A, VCE = 600 V Tvj = 25 ° C VGE = ± 15 V Tvj = 125 ° C RGon = 2,4 Ω Tvj = 150 ° C | TF | 0,10 0,16 0,16 | ไมโครวินาที ไมโครวินาที ไมโครวินาที | ||
การเปิดเครื่องสูญเสียพลังงานต่อชีพจร | IC = 200 A, VCE = 600 V, LS = 30 nH Tvj = 25 ° C VGE = ± 15 V, di / dt = 4000 A / μs (Tvj = 150 ° C) Tvj = 125 ° C RGon = 2,4 Ω Tvj = 150 ° C | กัป | 10,0 15,0 17,0 | 19,0 30,0 36,0 | ||
ลดการสูญเสียพลังงานต่อชีพจร | IC = 200 A, VCE = 600 V, LS = 30 nH Tvj = 25 ° C VGE = ± 15 V, du / dt = 4500 V / μs (Tvj = 150 ° C) Tvj = 125 ° C RGoff = 2,4 Ω Tvj = 150 ° C | Eoff | 14,0 20,0 23,0 | mJ mJ mJ | ||
ข้อมูล SC | VGE ≤ 15 V, VCC = 900 V VCEmax = VCES -LsCE · di / dt tP ≤ 10 μs, Tvj = 150 ° C | ISC | 800 | mJ mJ mJ | ||
ความต้านทานความร้อนการเชื่อมต่อกับกรณี | IGBT / per IGBT | RthJC | 0135 | K / W | ||
ความต้านทานความร้อน, caseto ฮีทซิงค์ | แต่ละ IGBT / ต่อ IGBT λPaste = 1 W / (m · K) / λgrease = 1 W / (m · K) | RthCH | 0034 | K / W | ||
อุณหภูมิภายใต้เงื่อนไขการเปลี่ยน | Tvj op | -40 | 150 | ° C |
ผู้ติดต่อ: Ms. Biona
โทร: 86-755-83014873
แฟกซ์: 86-755-83047632
APF7.820.077C PCB สำหรับตัวควบคุมแรงดันไฟฟ้าสำรอง ESP, แรงดันไฟฟ้าและกระแสไฟ
380V AC ตัวควบคุมความถี่ ESP อุตสาหกรรม EPIC-III ตัวควบคุมการสุ่มตัวอย่างคณะกรรมการ Trigger Board
ประสิทธิภาพการสตาร์ทเครื่องยนต์สูง Systerm พลังงาน 20J, 98 หล่ออุปกรณ์อลูมิเนียมเชลล์พลังงานสูงติดไฟ
ถ่านหินหม้อแปลงไฟฟ้าบอร์ดหลักซีพียู 9224 / CS2024 / EG24 (ไมโครบอร์ด)
เครื่องตรวจสอบระดับถ่านหินสำหรับป้อนถ่านหิน 9224 / CS2024, CS19900, C19900, CS8406
สายพานป้อนถ่านหิน CS2024 และ 9424 พิเศษสำหรับเครื่องชั่งชนิดอิเล็กทรอนิกส์