Name: โมดูลซีรีส์ IGBT ครึ่งซีรีส์, 1200V 450A โมดูล IGBT คู่ FF450R12KT4 กังหันลม
Brand: Infineon
SKU: FF450R12KT4
Rating: 4.6 (171 reviews)

บ้าน ผลิตภัณฑ์โมดูลไฟ IGBT

โมดูลซีรีส์ IGBT ครึ่งซีรีส์, 1200V 450A โมดูล IGBT คู่ FF450R12KT4 กังหันลม

รายละเอียดสินค้า:

สถานที่กำเนิด:	จีน
ชื่อแบรนด์:	Infineon
หมายเลขรุ่น:	FF450R12KT4

การชำระเงิน:

จำนวนสั่งซื้อขั้นต่ำ:	1 ชุด
รายละเอียดการบรรจุ:	บรรจุกล่องไม้
เวลาการส่งมอบ:	25 วันหลังจากลงนามในสัญญา
เงื่อนไขการชำระเงิน:	T/T
สามารถในการผลิต:	1000sets

ติดต่อ

รายละเอียดสินค้า

VCES:	1200V	IC nom:	450A
ICRM:	900A	แอพพลิเคชัน:	ไดรฟ์มอเตอร์
คุณสมบัติทางไฟฟ้า:	การสูญเสียการสลับต่ำ
แสงสูง:	โมดูล igbt พลังงานสูง igbt ยานยนต์ , automotive igbt

ครึ่งสะพาน 62 มม. ซีรีส์ 1200 V, 450 I โมดูลคู่ IGBT FF450R12KT4 กังหันลม

การใช้งานทั่วไป

•ตัวแปลงพลังงานสูง

•ไดรฟ์มอเตอร์

•ระบบ UPS

•กังหันลม

คุณสมบัติทางไฟฟ้า

•อุณหภูมิการทำงานที่เพิ่มขึ้น Tvj op

•การสูญเสียการสลับต่ำ

VCEsat ต่ำ

•ความทนทานที่เหนือชั้น

• VCEsat มีค่าสัมประสิทธิ์อุณหภูมิบวก

คุณสมบัติทางเครื่องกล

•ฉนวนกันความร้อน 4 kV AC 1 นาที

•แพ็คเกจที่มี CTI> 400

•ระยะทางสูง Creepage และระยะห่าง

•ความหนาแน่นพลังงานสูง

แผ่นฐานที่แยกได้

•ที่อยู่อาศัยมาตรฐาน

IGBT, อินเวอร์เตอร์

ค่า นิยมสูงสุด

แรงดัน Collector-emitter	Tvj = 25 ° C	VCES	1200	V
กระแสเก็บ DC แบบต่อเนื่อง	TC = 100 ° C, Tvj max = 175 ° C TC = 25 ° C, Tvj max = 175 ° C	IC nom เข้าใจแล้ว	450 580
กระแสสะสมสูงสุดซ้ำ	tP = 1 ms	ICRM	900
การกระจายพลังงานทั้งหมด	TC = 25 ° C, Tvj max = 175 ° C	Ptot	2400	W
แรงดันไฟฟ้าสูงสุดของ Gate-emitter		VGES	+/- 20	V

ค่า ลักษณะ

แรงดันอิ่มตัวของ Collector-emitter	IC = 450 A, VGE = 15 V Tvj = 25 ° C IC = 450 A, VGE = 15 V Tvj = 125 ° C IC = 450 A, VGE = 15 V Tvj = 150 ° C	VCE นั่ง		1,75 2,05 2,10	2,15	V VV
แรงดันไฟฟ้าประตู	IC = 17,0 mA, VCE = VGE, Tvj = 25 ° C	VGEth	5,2	5,8	6,4	V
Gate charge	VGE = -15 V ... +15 V	QG		3,60		μC
ตัวต้านทานประตูภายใน	Tvj = 25 ° C	RGint		1,9		Ω
Input capacitance	f = 1 MHz, Tvj = 25 ° C, VCE = 25 V, VGE = 0 V	Cies		28,0		nF
ความจุในการถ่ายโอนข้อมูลย้อนกลับ	f = 1 MHz, Tvj = 25 ° C, VCE = 25 V, VGE = 0 V	Cres		1,10		nF
กระแสตัดกระแส Collector-emitter	VCE = 1200 V, VGE = 0 V, Tvj = 25 ° C	ไอศครีม			5,0	mA
กระแสไฟรั่วของ Gate-emitter	VCE = 0 V, VGE = 20 V, Tvj = 25 ° C	IGES			400	nA
เวลาการหน่วงเวลาในการเปิดเครื่อง, ภาระอุปนัย	IC = 450 A, VCE = 600 V Tvj = 25 ° C VGE = ± 15 V Tvj = 125 ° C RGon = 1,0 Ω Tvj = 150 ° C	td on		0,16 0,17 0,18		ไมโครวินาที ไมโครวินาที ไมโครวินาที
เวลาที่เพิ่มขึ้นโหลดอุปนัย	IC = 450 A, VCE = 600 V Tvj = 25 ° C VGE = ± 15 V Tvj = 125 ° C RGon = 1,0 Ω Tvj = 150 ° C	TR		0,045 0,04 0,05		ไมโครวินาที ไมโครวินาที ไมโครวินาที
เวลาหน่วงการเปิด - ปิด, ภาระอุปนัย	IC = 450 A, VCE = 600 V Tvj = 25 ° C VGE = ± 15 V Tvj = 125 ° C RGoff = 1,0 Ω Tvj = 150 ° C	td off		0,45 0.52 0.54		ไมโครวินาที ไมโครวินาที ไมโครวินาที
เวลาตก, ภาระอุปนัย	IC = 450 A, VCE = 600 V Tvj = 25 ° C VGE = ± 15 V Tvj = 125 ° C RGoff = 1,0 Ω Tvj = 150 ° C	TF		0,10 0,16 0,18		ไมโครวินาที ไมโครวินาที ไมโครวินาที
การเปิดเครื่องสูญเสียพลังงานต่อชีพจร	IC = 450 A, VCE = 600 V, LS = 30 nH Tvj = 25 ° C VGE = ± 15 V, di / dt = 9000 A / μs (Tvj = 150 ° C) Tvj = 125 ° C RGon = 1,0 Ω Tvj = 150 ° C	กัป		19,0 30,0 36,0		19,0 30,0 36,0
ลดการสูญเสียพลังงานต่อชีพจร	IC = 450 A, VCE = 600 V, LS = 30 nH Tvj = 25 ° C VGE = ± 15 V, du / dt = 4500 V / μs (Tvj = 150 ° C) Tvj = 125 ° C RGoff = 1,0 Ω Tvj = 150 ° C	Eoff		26,0 40,0 43,0		mJ mJ mJ
ข้อมูล SC	VGE ≤ 15 V, VCC = 800 V VCEmax = VCES -LsCE · di / dt tP ≤ 10 μs, Tvj = 150 ° C	ISC		1800
ความต้านทานความร้อนการเชื่อมต่อกับกรณี	IGBT / per IGBT	RthJC			0062	K / W
ความต้านทานความร้อน, caseto ฮีทซิงค์	แต่ละ IGBT / ต่อ IGBT λPaste = 1 W / (m · K) / λgrease = 1 W / (m · K)	RthCH		0.03		K / W
อุณหภูมิภายใต้เงื่อนไขการเปลี่ยน		Tvj op	-40		150	° C